За повідомленнями зарубіжних ЗМІ, інженери з Інституту електронних інформаційних технологій (Leti), дочірньої компанії Французького агентства з атомної енергії (CEA), стверджують, що їхній новий спосіб виробництва світлодіодів Micro буде революціонізувати виробництво високопродуктивних дисплеїв, з поточними РК-дисплеї та відмінна якість зображення та дизайн енергоефективності порівняно з органічними світлодіодами (OLED).
Франсуа Templier, директор маркетингової стратегії Leti Photonics, нещодавно представив новий виробничий процес, який поєднує світловипромінюючі напівпровідники з кремнієвими драйверними схемами на Міжнародному тижні для відображення інформації (SID) в Сан-Хосе, Каліфорнія.
Розробка великогабаритних дисплеїв, які вимагають більшої роздільної здатності зображення, означає, що для приводу всіх типів дисплеїв потрібні більш швидкі електронні пристрої, включаючи новий комерційний мікрофон Samsung, який включає мільйони індивідуальних піксельних випромінювачів. Світлодіодний формат та інші продукти.
Однак існуючі схеми приводу на основі тонкоплівкових транзисторних (TFT) конструкцій активної матриці не забезпечують необхідних вимог струму і швидкості. Новий метод, розроблений компанією Leti, виробляє високопродуктивний світлодіодний дисплей GaN Micro, керований CMOS з спрощеним процесом передачі, що виключає необхідність використання звичайної TFT задньої панелі. Червоні, зелені і сині мікро-світлодіоди розташовуються безпосередньо на мікро-КМОП-схемі перед передачею кожної одиниці на просту приймальну підкладку, а випромінювачі світла і об'єднана плата одночасно виготовляються на вафельній шкалі на одній лінії обробки напівпровідників.
